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반도체 소자용 절연막 재료 및 이를 사용한 절연막의 제조방법
INSULATING FILM MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PREPARING INSULATING FILM USING THE SAME
소 속
명지대
연구책임자
이현호
기술분류
신소재 반도체 소재
키워드
게이트 절연막, 실록산, 유연기판
 
- 특허 출원/등록번호: 출원번호 10-2012-0026042, 등록번호 10-1393695
- 출원일: 2012.03.14 
- 특허 공개 여부: 공개
 
- 아래와 같은 환상형 (cyclo: 시클로) 구조를 가지는 실록산 (siloxane) 화합물 용액을 스핀코팅, 스프레이 코팅, dip coating, 잉크젯 프린팅 및 다이렉트 패터닝 방법으로 필름을 형성하여, 전자소자 (박막 캐패시터 및 박막 트랜지스터)의 케이트 절연막 및 기타 절연막으로 제조함. 

 
- 기존 기술 대비 장점, 단점 및 극복방안: 종래에는 유기물 유래의 고분자물질을 주로 스핀코팅 등 공정으로 게이트 절연막으로 적용하였고, 실제 절연막을 형성하기 위해서 실리콘 웨이퍼 기반의 전자소자의 경우 고온의 산화막 형성 공정이 필요하거나, 고가의 물리증착 및 화학증착 기기가 필요한 복잡한 공정이 요구되었으나, 본 발명에서는 이에 비하여 저온공정, 공정의 용이성, 유연기판 대응성 등에서 강점이 있음. 또한, 게이트 절연막으로 적용될 시에 높은 유전율을 나타냄.
 
- 시장규모 및 성장률
- 목표시장에 대한 정의 및 시장 진입 전략(응용분야 및 차별화 포인트)

 
- 기술이전(매각) 
 
- 명지대학교 산학협력단 이선영(031-330-6875 / sylee81@mju.ac.kr)
 
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